西安工业大学图书馆书目检索系统

Online Public Access Catalogue

题名/责任者:

纳米集成电路FinFET器件物理与模型/(美) 萨马·K. 萨哈(Samar K. Saha)著 丁扣宝译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-111-69481-6/CNY119.00

载体形态项:

13,238页:图;24cm

并列正题名:

FinFET devices for VLSI circuits and systems

丛编项:

集成电路科学与工程丛书

个人责任者:

(美) 萨哈 (Saha, Samar K.) 著

个人次要责任者:

丁扣宝 (1965-) 译

学科主题:

纳米材料-集成电路工艺-系统建模

中图法分类号:

TN405

版本附注:

Taylor & Francis出版集团旗下，CRC出版公司授权出版

相关题名附注:

版权页英文题名：FinFET devices for VLSI circuits and systems

提要文摘附注:

本书主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型。

豆瓣简介：