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题名/责任者:

硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究/杜文汉著

出版发行项:

镇江:江苏大学出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-5684-1030-4/CNY35.00

载体形态项:

123页:图;22cm+2

并列正题名:

Investigation on the interface and surface reconstruction of bufferlayer of high k oxide on silicon surface

丛编项:

新材料研究系列丛书

个人责任者:

杜文汉 著

学科主题:

硅-半导体材料-固体物理学-研究

中图法分类号:

TN304.1

中图法分类号:

O48

责任者附注:

杜文汉, 常州工学院教师, 现任电气与广电工程学院新能源科学与工程系主任等职。

书目附注:

有书目 (第113-123页)

提要文摘附注:

本书借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具, 对Sr/Si体系进行了研究, 主要分为以下3个部分: Si (100) 衬底上的Sr/Si再构 ; Si (111) 衬底上的Sr/Si再构 ; 超薄SrTiO3膜的高温晶化。

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