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题名/责任者:

SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术/(日) 菅沼克昭编著 何钧, 许恒宇译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-111-66953-1/CNY89.00

载体形态项:

195页:图;24cm

丛编项:

新型电力电子器件丛书

个人责任者:

(日) 菅沼克昭 主编

个人次要责任者:

何钧 译

个人次要责任者:

许恒宇 译

学科主题:

功率半导体器件-封装工艺-可靠性估计

中图法分类号:

TN305.94

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书以封装为核心，由熟悉各个领域前沿的专家详细解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术，管芯背焊技术，模制树脂技术，绝缘基板技术，冷却散热技术，可靠性评估和检查技术等。尽管极端环境中的材料退化机制尚未明晰，书中还是总结设计了新的封装材料和结构设计，以尽量阐明未来的发展方向

使用对象附注:

功率半导体器件研究者

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