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题名/责任者:

硅纳米晶发光增强研究/陈家荣著

出版发行项:

成都:西南交通大学出版社,2017

ISBN及定价:

978-7-5643-5468-8/CNY58.00

载体形态项:

158页:图;23cm

丛编项:

贵州民族大学学术文库

个人责任者:

陈家荣 著

学科主题:

硅-晶体-纳米材料-发光强度-研究

中图法分类号:

TB383

提要文摘附注:

本书为学术著作，围绕制备和表征硅纳米晶的方法展开研究。研究了硅纳米晶电致发光的机理，得出其发光机理与小尺寸的硅纳米晶有关；研究了界面效应对硅纳米晶发光的影响，为提高硅纳米晶的发光强度提供了理论依据。然后从硅纳米晶的发光机理出发，研究了场效应和表面等离子体两种方法如何提高硅纳米晶的电致发光强度。由于采用反应蒸发方法制备的硅纳米晶的密度相对较低，不利于硅纳米晶的发光增强，因此，本书还初步研究了量产硅量子点的制备方法及其发光谱。

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