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• 200 1_ |a 硅纳米晶发光增强研究 |A gui na mi jing fa guang zeng qiang yan jiu |f 陈家荣著

• 210 __ |a 成都 |c 西南交通大学出版社 |d 2017

• 215 __ |a 158页 |c 图 |d 23cm

• 225 2_ |a 贵州民族大学学术文库 |A Gui Zhou Min Zu Da Xue Xue Shu Wen Ku

• 330 __ |a 本书为学术著作，围绕制备和表征硅纳米晶的方法展开研究。研究了硅纳米晶电致发光的机理，得出其发光机理与小尺寸的硅纳米晶有关；研究了界面效应对硅纳米晶发光的影响，为提高硅纳米晶的发光强度提供了理论依据。然后从硅纳米晶的发光机理出发，研究了场效应和表面等离子体两种方法如何提高硅纳米晶的电致发光强度。由于采用反应蒸发方法制备的硅纳米晶的密度相对较低，不利于硅纳米晶的发光增强，因此，本书还初步研究了量产硅量子点的制备方法及其发光谱。

• 410 _0 |1 2001 |a 贵州民族大学学术文库

• 606 0_ |a 硅 |A Gui |x 晶体 |x 纳米材料 |x 发光强度 |x 研究

• 690 __ |a TB383 |v 5

• 701 _0 |a 陈家荣 |A chen jia rong |4 著

• 801 _0 |a CN |b OUQD |c 20171026

• 905 __ |a XATU |d TB383/211

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