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• 200 1_ |a 半导体器件原理 |A Ban Dao Ti Qi Jian Yuan Li |b 专著 |f 黄均鼐，汤庭鳌，胡光喜编著 |d Principles of semiconductor devices |z eng

• 210 __ |a 上海 |c 复旦大学出版社 |d 2011

• 215 __ |a 375页 |d 26cm

• 300 __ |a 博学·微电子学系列

• 330 __ |a 本书不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。

• 510 1_ |a Principles of semiconductor devices |z eng

• 606 0_ |a 半导体器件 |A Ban Dao Ti Qi Jian

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 黄均鼐 |A Huang Jun Nai |4 编著

• 701 _0 |a 汤庭鳌 |A Tang Ting Ao |4 编著

• 701 _0 |a 胡光喜 |A Hu Guang Xi |f (1964-) |4 编著

• 801 _0 |a CN |b ZL |c 20111107

• 905 __ |a XATU |d TN303/41

• 920 __ |a 261060 |z 1