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- 000 01447nam0 2200337 450
- 010 __ |a 978-7-118-11636-6 |b 精装 |d CNY128.00
- 021 __ |a CN |b 军-2018-024
- 100 __ |a 20181210d2018 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 绝缘体上硅(SOI)技术 |A jue yuan ti shang gui(SOI)ji shu |e 制造及应用 |d = Silicon-on-insulator(SOI) technology manufacture and applications |f (法) Oleg Kuanchuck,(法) Bich-Yen Nguyen等著 |g 刘忠立,宁瑾,赵凯译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2018
- 215 __ |a 13,385页 |c 图 |d 24cm
- 306 __ |a 本译著由Elsevier Singapore Pte Ltd和国防工业出版社合作完成
- 330 __ |a 本书由绝缘体上硅材料及制造和SOI器件及应用两部构成。内容包括:绝缘体上硅晶圆片材料及制造技术、先进的绝缘体上硅材料及晶体管电学性质的表征、平面全耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体技术等14章。
- 510 1_ |a Silicon-on-insulator(SOI) technology manufacture and applications |z eng
- 606 0_ |a 绝缘体上硅薄膜 |A Jue Yuan Ti Shang Gui Bo Mo
- 701 _0 |c (法) |a 库侬楚克 |A ku nong chu ke |c (Kuanchuck, Oleg) |4 著
- 701 _0 |c (法) |a 宁根 |A ning gen |c (Nguyen, Bich-Yen) |4 著
- 702 _0 |a 刘忠立 |A liu zhong li |4 译
- 702 _0 |a 宁瑾 |A ning jin |4 译
- 702 _0 |a 赵凯 |A zhao kai |4 译
- 801 _0 |a CN |b XATU |c 20190428
- 905 __ |a XATU |d TN304.9/3