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• 010 __ |a 978-7-03-056687-4 |d CNY180.00

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 忆阻器导论 |A yi zu qi dao lun |f 缪向水 ... [等] 编著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2018

• 215 __ |a x, 432页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 存储器科学与技术丛书 |A cun chu qi ke xue yu ji shu cong shu

• 304 __ |a 题名页题: 缪向水, 李袆, 孙华军, 薛堪豪编著

• 312 __ |a 英文并列题名取自封面

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书在全面阐述忆阻器的基本理论、发展历史及趋势的基础上，从忆阻器材料体系、器件设计及集成工艺等方面系统论述忆阻器的物理机制、器件模型和实现方法，并详细介绍忆阻器在可编程模拟电路、类脑神经形态计算，以及非易失性逻辑运算等新兴信息存储与处理融合领域的重要应用，最后对忆阻与其他物理效应耦合的多功能器件的未来发展前景进行探讨。

• 333 __ |a 本书可供微电子、材料、凝聚态物理、电路与系统、自动化、人工智能、计算机和神经生物学等领域及相关行业进行忆阻器理论、材料、器件研究及应用的科研、工程技术人员和高等院校的师生学习。

• 410 _0 |1 2001 |a 存储器科学与技术丛书

• 510 1_ |a Introduction to memristor |z eng

• 606 0_ |a 非线性电阻器 |A fei xian xing dian zu qi

• 690 __ |a TM54 |v 5

• 701 _0 |a 缪向水 |A miao xiang shui |4 编著

• 701 _0 |a 李袆 |A li hui |4 编著

• 701 _0 |a 孙华军 |A sun hua jun |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 北京新华书店首都发行所有限公司 |c 20180402

• 905 __ |a XATU |d TM54/8

• 920 __ |a 211010 |z 1

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• 998 __ |a BUA