机读格式显示(MARC)

• 000 00928nam0 2200253 450

• 001 0000323254

• 005 20200604171800.0

• 010 __ |b 缴送

• 100 __ |a 20180622d2018 ekmy0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 610000

• 105 __ |a y m 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 静电场下溶液法生长碘化汞晶体形貌分析 |A Jing Dian Chang Xia Rong Ye Fa Sheng Zhang Dian Hua Gong Jing Ti Xing Mao Fen Xi |f 杨丛笑著 |g 许岗指导

• 210 __ |a 西安 |c 西安工业大学 |d 2018

• 215 __ |a 60页 |d 29cm

• 328 __ |a 硕士学位论文——西安工业大学材料与化工学院，2018

• 610 0_ |a α-HgI2籽晶层；静电场；晶体形貌；亚稳β-HgI2晶体；晶体生长与相变 |A Α-hgi2 Zi Jing Ceng；Jing Dian Chang；Jing Ti Xing Mao；Ya WenΒ-hgi2 Jing Ti；Jing Ti Sheng Zhang Yu Xiang Bian

• 690 __ |a O782.1 |v 4

• 701 _0 |a 杨丛笑 |A Yang Cong Xiao |4 著

• 702 _0 |a 许岗 |A Xu Gang |4 指导

• 801 _0 |a CN |b XATU |c 20180622

• 905 __ |a XATU |d O782.1/1

• 920 __ |a 261060 |z 1