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• 010 __ |a 978-7-113-23973-2 |b 精装 |d CNY98.00

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• 200 1_ |a 第三代半导体材料 |A di san dai ban dao ti cai liao |f 郑有炓, 吴玲, 沈波等编著

• 210 __ |a 北京 |c 中国铁道出版社 |d 2017

• 215 __ |a XIII, 333页 |c 图 |d 27cm

• 300 __ |a 中国战略性新兴产业·新材料

• 300 __ |a 国家出版基金项目 “十二五”国家重点出版物出版规划项目

• 314 __ |a 郑有炓, 中国科学院院士, 现任南京大学物理系教授、博士生导师。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本分册为《第三代半导体材料》。本书主要论述了III族氮化物半导体材料、SiC半导体材料、宽禁带氧化物半导体材料、半导体金刚石薄膜材料、宽禁带氧化物半导体材料等第三代半导体材料的基本性质、制备技术、相关应用, 并论述了发展我国第三代半导体材料产业的战略意义和战略构思。

• 606 0_ |a 半导体材料 |A ban dao ti cai liao |x 产业发展 |x 研究 |y 中国

• 690 __ |a F426.63 |v 5

• 701 _0 |a 郑有炓 |A zheng you liao |4 编著

• 701 _0 |a 吴玲 |A wu ling |4 编著

• 701 _0 |a 沈波 |A shen bo |4 编著

• 801 _0 |a CN |b IMNUL |c 20180715

• 905 __ |a XATU |d F426.63/13

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