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- 010 __ |a 978-7-111-33083-7 |d CNY98.00
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- 200 1_ |a 纳米CMOS电路和物理设计 |9 na mi dian lu he wu li she ji |b 专著 |f (美)BAN P. WONG[等]著 |g 辛维平等译
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2011
- 215 __ |a 13,345页 |d 24cm
- 225 2_ |a 国际信息工程先进技术译丛 |9 guojixinxigongchengxianjinjishuyicong
- 330 __ |a 本书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现等内容整合到一起,形成了一套先进的半导体技术,探讨了器件和工艺的新发展,提供了设计考虑,重点关注了技术与设计的相互影响,并且描述了可制造性设计和波动性的影响。
- 461 _0 |1 2001 |a 国际信息工程先进技术译丛
- 510 1_ |a Nano-CMOS Circuit and Physical Design |z eng
- 606 0_ |a 纳米材料 |x 互补MOS集成电路 |x 集成电路 |x 电路设计 |A namicailiao
- 701 _0 |c (美) |a 王班 |9 wang ban |c (Wong, Ban P. |f 1953-) |4 著
- 702 _0 |a 辛维平 |9 xin wei ping |4 译
- 801 _0 |a CN |b GXG |c 20110601
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