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• 200 1_ |a SiC肖特基二极管模拟研究 |A Sic Xiao Te Ji Er Ji Guan Mo Ni Yan Jiu |f 袁博著 |g 陈世彬指导

• 210 __ |a 西安 |c 西安工业大学 |d 2013

• 215 __ |a 52页 |d 29cm

• 328 __ |a 硕士论文——西安工业大学光电工程学院，2013

• 610 0_ |a SiC；肖特基二极管；伏-安特性；反向击穿 |A Sic ；xiao Te Ji Er Ji Guan ；fu - An Te Xing ；fan Xiang Ji Chuan

• 690 __ |a TN304.23 |v 5

• 701 _0 |a 袁博 |A Yuan Bo |4 著

• 702 _0 |a 陈世彬 |A Chen Shi Bin |4 指导

• 801 _0 |a CN |b XATU |c 20130603

• 905 __ |a XATU |d TN304.23/3

• 920 __ |a 261060 |z 1