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• 200 1_ |a 碳化硅功率器件 |A Tan Hua Gui Gong Lv Qi Jian |e 特性、测试和应用技术 |f 高远, 张岩编著

• 205 __ |a 第2版

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2025

• 215 __ |a 536页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 电力电子新技术系列图书 |A Dian Li Dian Zi Xin Ji Shu Xi Lie Tu Shu

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果, 详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章, 内容涵盖功率半导体器件基础, SiC二极管的主要特性, SiCMOSFET参数的解读、测试及应用, SiC器件与Si器件特性对比, 双脉冲测试技术, SiC器件测试和失效分析技术, 高di/dt影响与应对--关断电压过冲, 高dv/dt的影响与应对--串扰, 高dv/dt影响与应对--共模电流, 共源极电感影响与应对, 驱动电路, SiC器件的主要应用。

• 410 _0 |1 2001 |a 电力电子新技术系列图书

• 500 10 |a Silicon Carbide Power Semiconductor Devices: Characteristics, Testing and Applications |A Silicon Carbide Power Semiconductor Devices: Characteristics, Testing And Applications |m chinese

• 517 1_ |a 特性、测试和应用技术

• 606 0_ |a 功率半导体器件 |A Gong Lv Ban Dao Ti Qi Jian

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 高远 |A Gao Yuan |4 编著

• 701 _0 |a 张岩 |A Zhang Yan |4 编著

• 801 _0 |a CN |b YYNU |c 20250512

• 905 __ |a XATU |d TN303/61=2

• 920 __ |a 261060 |z 1

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