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• 000 01669nam 2200373 450

• 001 0000435895

• 005 20250417170300.0

• 010 __ |a 978-7-111-77348-1 |d CNY139.00

• 021 __ |a CN |b 01-2022-6465

• 099 __ |a CAL 012025030978

• 100 __ |a 20250319d2025 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c jpn

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a NAND闪存技术 |A NAND shan cun ji shu |f (日) 有留诚一著 |g 陈子琪译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2025

• 215 __ |a XVIII, 328页 |c 图 (部分彩图) |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路科学与工程丛书 |A ji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu

• 300 __ |a CMP BOOKS

• 306 __ |a 由Wiley授权机械工业出版社出版

• 312 __ |a 封面题英文题名：NAND flash memory technologies

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书讨论了基本和先进的NAND闪存技术，包括NAND闪存的原理、存储单元技术、多比特位单元技术、存储单元的微缩挑战、可靠性和作为未来技术的3D单元。第1章描述了NAND闪存的背景和早期历史。第2章描述了器件的基本结构和操作。接下来，第3章讨论了以微缩为重点的存储单元技术，并且第4章介绍了多电平存储单元的先进操作。第5章讨论了微缩的物理限制。第6章描述了NAND闪存的可靠性。第7章研究了3DNAND闪存单元，并讨论了结构、工艺、操作、可扩展性和性能方面的优缺点。第8章讨论了3DNAND闪存面临的挑战。最后，第9章总结并描述了未来NAND闪存的技术和市场前景。

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路科学与工程丛书

• 510 1_ |a NAND flash memory technologies |z eng

• 606 0_ |a 半导体存贮器 |A ban dao ti cun zhu qi

• 690 __ |a TP333.5 |v 5

• 701 _0 |a 有留诚一 |A you liu cheng yi |4 著

• 702 _0 |a 陈子琪 |A chen zi qi |4 译

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20250326

• 905 __ |a XATU |d TP333.5/4

• 920 __ |a 261060 |z 1

• 998 __ |a NMU