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• 010 __ |a 978-7-122-41385-7 |d CNY49.00

• 049 __ |a H110102GMA |b UCS01011468079 |c 011468079

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性 |A Er WeiⅢ-Ⅵzu Hua He Wu De Zi Xuan Xiang Guan Te Xing |f 琚伟伟著

• 210 __ |a 北京 |c 化学工业出版社 |d 2022

• 215 __ |a 160页 |c 图 |d 21cm

• 330 __ |a 本书共分七章，前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法，第3章介绍了二维NⅢXⅥ (N＝Ga，In；X＝S，Se，Te) 单层Rashba自旋劈裂的电场调控，第4章介绍了极性XABY (A，B＝Ga，In；X≠Y＝S，Se，Te) 中显著的Rashba自旋劈裂，第5章介绍了Ⅱ型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制，第6章介绍了InSe/MTe2 (M＝Pd，Pt) 范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性，第7章介绍了InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应。

• 606 0_ |a 功能材料 |A Gong Neng Cai Liao

• 690 __ |a TB34 |v 5

• 701 _0 |a 琚伟伟 |A Ju Wei Wei |4 著

• 801 _2 |a CN |b OLCC |c 20221116

• 801 _2 |a CN |b H110102GMA |c 20220829

• 801 _0 |a CN |b BWZ |c 20220829

• 905 __ |a XATU |d TB34/152

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