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- 010 __ |a 978-7-111-70502-4 |d CNY99.00
- 021 __ |a CN |b 01-2019-0964
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- 200 1_ |a 垂直型GaN和SiC功率器件 |A Chui Zhi Xing Gan He Sic Gong Lv Qi Jian |d Vertical GaN and SiC power devices |f (日)望月和浩著 |g 黄锋[等]译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2022
- 215 __ |a 12,217页 |c 图 |d 24cm
- 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书 |A Ban Dao Ti Yu Ji Cheng Dian Lu Guan Jian Ji Shu Cong Shu
- 305 __ |a 由Artech House授权出版
- 330 __ |a 本书介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术。内容涵盖:垂直型和横向功率半导体器件的比较,GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺、主要器件结构与特性,以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等。
- 410 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书
- 510 1_ |a Vertical GaN and SiC power devices |z eng
- 606 0_ |a 功率半导体器件 |A Gong Lv Ban Dao Ti Qi Jian
- 701 _0 |c (日) |a 望月和浩 |A Wang Yue He Hao |4 著
- 702 _0 |a 黄锋 |A Huang Feng |4 译
- 801 _2 |a CN |b OLCC |c 20220921
- 905 __ |a XATU |d TN303/64