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• 010 __ |a 978-7-5684-1030-4 |d CNY35.00

• 099 __ |a CAL 012019111193

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• 200 1_ |a 硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究 |A gui ji gao k yang hua wu si gui jie mian huan chong ceng de yan jiu |d = Investigation on the interface and surface reconstruction of bufferlayer of high k oxide on silicon surface |f 杜文汉著 |z eng

• 210 __ |a 镇江 |c 江苏大学出版社 |d 2018

• 215 __ |a 123页 |c 图 |d 22cm |e 2

• 225 2_ |a 新材料研究系列丛书 |A xin cai liao yan jiu xi lie cong shu

• 314 __ |a 杜文汉, 常州工学院教师, 现任电气与广电工程学院新能源科学与工程系主任等职。

• 320 __ |a 有书目 (第113-123页)

• 330 __ |a 本书借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具, 对Sr/Si体系进行了研究, 主要分为以下3个部分: Si (100) 衬底上的Sr/Si再构 ; Si (111) 衬底上的Sr/Si再构 ; 超薄SrTiO3膜的高温晶化。

• 410 _0 |1 2001 |a 新材料研究系列丛书

• 510 1_ |a Investigation on the interface and surface reconstruction of bufferlayer of high k oxide on silicon surface |z eng

• 606 0_ |a 硅 |A gui |x 半导体材料 |x 固体物理学 |x 研究

• 690 __ |a TN304.1 |v 5

• 690 __ |a O48 |v 5

• 701 _0 |a 杜文汉 |A du wen han |4 著

• 801 _0 |a CN |b 261080 |c 20190906

• 801 _2 |a CN |b PUL |c 20191105

• 905 __ |a XATU |d TN304.1/8

• 920 __ |a 261060 |z 1

• 998 __ |a XUST