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• 000 01965nam0 2200649 450

• 001 0000259321

• 005 20180103142200.0

• 010 __ |a 978-7-03-051042-6 |b 精装 |d CNY138.00

• 099 __ |a CAL 012017027584

• 100 __ |a 20170317d2017 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a afk a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 纳米半导体场发射冷阴极理论与实验 |A Na Mi Ban Dao Ti Chang Fa She Leng Yin Ji Li Lun Yu Shi Yan |d = Theory and experiment of nano-semiconductor field emission cold cathode |f 王如志, 严辉著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2017

• 215 __ |a 334页, [2] 页图版 |c 图 |d 25cm

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书基于作者多年来在纳米半导体场发射冷阴极方面的工作积累, 对该领域的发展历程、理论基础、设计模型与制备性能进行了的介绍与讨论, 期望为新型纳米半导体场发射冷阴极研发与器件应用提供指导与参考。

• 510 1_ |a Theory and experiment of nano-semiconductor field emission cold cathode |z eng

• 606 0_ |a 半导体材料 |A Ban Dao Ti Cai Liao |x 纳米材料 |x 电子发射 |x 冷阴极 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 690 __ |a TB383 |v 5

• 701 _0 |a 王如志 |A Wang Ru Zhi |4 著

• 701 _0 |a 严辉 |A Yan Hui |4 著

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20170317

• 905 __ |a XATU |d TN304/21

• 920 __ |a 215010 |z 1

• 920 __ |a 211010 |z 2

• 920 __ |a 231030 |z 1

• 920 __ |a 244020 |z 1

• 920 __ |a 232020 |z 1

• 920 __ |a 232090 |z 1

• 920 __ |a 221020 |z 1

• 920 __ |a 211060 |z 2

• 920 __ |a 231020 |z 1

• 920 __ |a 261011 |z 1

• 920 __ |a 261020 |z 1

• 920 __ |a 211030 |z 1

• 920 __ |a 261030 |z 1

• 920 __ |a 242020 |z 1

• 920 __ |a 222010 |z 1

• 920 __ |a 212020 |z 1

• 920 __ |a 231010 |z 1

• 920 __ |a 245010 |z 1

• 920 __ |a 237010 |z 1

• 920 __ |a 214010 |z 2

• 920 __ |a 242010 |z 1

• 920 __ |a 430102 |z 1

• 920 __ |a 222107 |z 1

• 920 __ |a 241010 |z 1

• 920 __ |a 235010 |z 1

• 920 __ |a 222040 |z 1

• 920 __ |a 232010 |z 1

• 920 __ |a 251010 |z 1

• 920 __ |a 212010 |z 1

• 998 __ |a NMU