机读格式显示(MARC)

• 000 01318nam2 2200325 4500

• 000 0000235182

• 001 0000154516

• 005 20110517151512.0

• 010 __ |a 978-7-03-028708-3 |b 精装 |d CNY120.00

• 035 __ |a (A210100SYT)012009036915

• 100 __ |a 20110517d2010 em y0chiy0110 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 晶体生长原理与技术 |9 jing ti sheng zhang yuan li yu ji shu |b 专著 |d Principle and technology of crystal growth |f 介万奇编著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2010

• 215 __ |a 11,740页 |c 图 |d 27cm

• 300 __ |a 国家科学技术学术著作出版基金资助出版

• 330 __ |a 本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态以及晶体生长初期的形核相关原理进行论述；第二篇为晶体生长的技术基础；第三篇为晶体生长技术；第四篇对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。

• 510 1_ |a Principle and technology of crystal growth |z eng

• 606 0_ |a 晶体生长 |A jingtishengzhang

• 690 __ |a O78 |v 4

• 701 _0 |a 介万奇 |9 jie wan qi |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 110120 |c 20101015

• 801 _2 |a CN |b 261060 |c 20110517

• 905 __ |a XATU |d O78/4

• 991 __012011004333

• 995 __ |a 261060 |f O78/4

• 999 __ |t C |A cuixiaojing |a 20110517 15:01:05 |M cuixiaojing |m 20110517 15:15:1