机读格式显示(MARC)

• 000 02594nam 2200685 450

• 001 0000241375

• 005 20160621142300.0

• 010 __ |a 978-7-03-044221-5 |d CNY32.00

• 099 __ |a CAL 012015113068

• 100 __ |a 20150908d2015 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体物理与器件实验教程 |A ban dao ti wu li yu qi jian shi yan jiao cheng |f 刘诺 ... [等] 编著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2015

• 215 __ |a 176页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 微电子专业实验教材系列丛书 |A wei dian zi zhuan ye shi yan jiao cai xi lie cong shu

• 300 __ |a 电子信息材料与器件系列规划教材

• 304 __ |a 编著者还有：任敏，钟志亲，蒋书文，罗小蓉

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书中的实验均用于说明和演示半导体物理和微电子器件的基本原理，适合不同大专院校的师生使用。全书分上下两篇，上、下两篇既独立成篇又互为联系，隶属于微电子相关专业的知识体系，其中每篇又由“基础知识”和“实验”两部分构成。上篇为“半导体物理实验”，分别为构建晶体结构、仿真与分析晶体电子结构、单波长椭偏法测试分析薄膜的厚度与折射率、四探针测试半导体电阻率、霍耳效应实验、高频光电导法测少子寿命、肖特基二极管的电流—电压测试分析、肖特基二极管的势垒高度和半导体的杂质浓度的测试分析、MIS的高频C—V测试。下篇为“微电子器件实验”，分别为二极管直流参数测试、双极型晶体管直流参数测试、MOS场效应晶体管直流参数测试、双极型晶体管开关参数测试、双极型晶体管频率特性测试。每个实验均包括学习目标、建议学时、原理、实验仪器、实验内容、实验步骤、复习题，旨在培养学生的实验操作技能和实验思考技能。

• 410 _0 |1 2001 |a 微电子专业实验教材系列丛书

• 606 0_ |a 半导体物理 |A ban dao ti wu li |x 实验 |j 教材

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian |x 实验 |j 教材

• 690 __ |a O47-33 |v 5

• 690 __ |a TN303-33 |v 5

• 701 _0 |a 刘诺 |A liu nuo |4 编著

• 801 _0 |a CN |b zftgs |c 20150908

• 905 __ |a XATU |d O47-33/2

• 920 __ |a 211010 |z 2

• 920 __ |a 211030 |z 1

• 920 __ |a 231010 |z 1

• 920 __ |a 215010 |z 1

• 920 __ |a 232020 |z 1

• 920 __ |a 261030 |z 1

• 920 __ |a 244180 |z 1

• 920 __ |a 212020 |z 1

• 920 __ |a 231020 |z 1

• 920 __ |a 235010 |z 1

• 920 __ |a 261020 |z 1

• 920 __ |a 245010 |z 1

• 920 __ |a 242020 |z 1

• 920 __ |a 221020 |z 1

• 920 __ |a 232010 |z 1

• 920 __ |a 237020 |z 1

• 920 __ |a 430102 |z 1

• 920 __ |a 237010 |z 1

• 920 __ |a 221010 |z 1

• 920 __ |a 221130 |z 1

• 920 __ |a 236010 |z 1

• 920 __ |a 212010 |z 1

• 920 __ |a 211060 |z 1

• 920 __ |a 211260 |z 1

• 920 __ |a 232340 |z 1

• 920 __ |a 231220 |z 2

• 920 __ |a 244010 |z 1

• 920 __ |a 242010 |z 1

• 920 __ |a 251010 |z 1

• 998 __ |a TSU