机读格式显示(MARC)

• 000 01453nam 2200349 450

• 001 0000389886

• 005 20210521145000.0

• 010 __ |a 978-7-111-66953-1 |d CNY89.00

• 021 __ |a CN |b 01-2020-3029

• 099 __ |a CAL 012021038354

• 100 __ |a 20210305d2021 ekmy0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c jpn

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术 |A Sic/gan Gong Lv Ban Dao Ti Feng Zhuang He Ke Kao Xing Ping Gu Ji Shu |f (日) 菅沼克昭编著 |g 何钧, 许恒宇译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2021

• 215 __ |a 195页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 新型电力电子器件丛书 |A Xin Xing Dian Li Dian Zi Qi Jian Cong Shu

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书以封装为核心，由熟悉各个领域前沿的专家详细解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术，管芯背焊技术，模制树脂技术，绝缘基板技术，冷却散热技术，可靠性评估和检查技术等。尽管极端环境中的材料退化机制尚未明晰，书中还是总结设计了新的封装材料和结构设计，以尽量阐明未来的发展方向

• 333 __ |a 功率半导体器件研究者

• 410 _0 |1 2001 |a 新型电力电子器件丛书

• 606 0_ |a 功率半导体器件 |A Gong Lv Ban Dao Ti Qi Jian |x 封装工艺 |x 可靠性估计

• 690 __ |a TN305.94 |v 5

• 701 _0 |c (日) |a 菅沼克昭 |A Jian Zhao Ke Zhao |4 主编

• 702 _0 |a 何钧 |A He Jun |4 译

• 702 _0 |a 许恒宇 |A Xu Heng Yu |4 译

• 801 _0 |a CN |b HM |c 20210310

• 905 __ |a XATU |d TN305.94/3

• 920 __ |a 261060 |z 1

• 998 __ |a SEU