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• 000 01636nam2 2200433 4500

• 000 0000217220

• 001 0000146087

• 005 20091130111758.0

• 009 012004310092

• 010 __ |a 978-7-302-18625-0 |d CNY35.00 |z 7-302-18625-1

• 021 __ |a CN |b 01-2007-5192

• 035 __ |a (110019)012007129240

• 100 __ |a 20091127d2009 em y0chiy0110 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a y z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 纳电子学基础 |9 na dian zi xue ji chu |f George W. Hanson著 |g 侯士敏，高旻，梁学磊译

• 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2009

• 215 __ |a 268页 |d 26cm

• 300 __ |a 国外经典教材·电子信息

• 305 __ |a 由Pearson Education(培生教育出版集团)授权出版

• 312 __ |a 封面英文题名：Fundamentals of nanoelectronics

• 330 __ |a 本书从纳电子学的两大基础——量子力学和固体物理学入手，分析了量子阱、量子线、量子点、碳纳米管等纳米材料的电子结构，深入讨论了纳电子器件的两个基本概念——单电子现象和电导量子化，并介绍了纳电子学两个前沿课题——分子电子学和自旋电子学。

• 510 1_ |a Fundamentals of nanoelectronics |z eng

• 606 0_ |a 纳米材料 |x 电子学 |x 基本知识 |A namicailiao

• 690 __ |a TN04 |v 4

• 690 __ |a TB383 |v 4

• 701 _1 |c (美) |a 汉森 |9 han sen |b G. W. |4 著

• 701 _1 |c (美) |a Hanson |b George W. |4 著 |9 Hanson

• 702 _0 |a 侯士敏 |9 hou shi min |4 译

• 702 _0 |a 高旻 |9 gao min |4 译

• 702 _0 |a 梁学磊 |9 liang xue lei |4 译

• 801 _0 |a CN |b 110019 |c 20090122

• 801 _2 |a CN |b 261060 |c 20091130

• 905 __ |a XATU |d TN04/19

• 991 __012009002527

• 995 __ |a 261060 |f TN04/19

• 999 __ |t C |A cuixiaojing |a 20091127 10:24:09 |M cuixiaojing |m 20091130 11:17:58 |G cuixiaojing |g 20091130 11:18:0