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- 010 __ |a 978-7-118-11454-6 |d CNY98.00
- 099 __ |a CAL 012018178816
- 100 __ |a 20181120d2017 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路 |A Kuan Jin Dai Ban Dao Ti Gao Pin Ji Wei Bo Gong Lv Qi Jian Yu Dian Lu |d = Wide bandgap semiconductor and microwave power device and circuits |f 赵正平等著 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2017
- 215 __ |a XXII, 291页, 6页图版 |c 图 |d 24cm
- 225 2_ |a 雷达与探测前沿技术丛书 |A Lei Da Yu Tan Ce Qian Yan Ji Shu Cong Shu
- 300 __ |a “十二五”国家重点出版规划项目 国家出版基金项目
- 314 __ |a 赵正平,江苏扬州人,研究员级高工,1970年毕业于清华大学无线电电子学系,1982年获南京工学院电子工程系半导体物理与器件专业工学硕士学位。
- 330 __ |a 本书将介绍新世纪十几年来第三代半导体——宽禁带半导体在固态高频和微波领域的发展,形成了新一代电力电子器件和第五代固态微波器件的格局。包括:宽禁带半导体材料;碳化硅高频功率器件;氮化镓微波功率器件与电路;展望。
- 410 _0 |1 2001 |a 雷达与探测前沿技术丛书
- 510 1_ |a Wide bandgap semiconductor and microwave power device and circuits |z eng
- 606 0_ |a 禁带 |A Jin Dai |x 微波半导体器件 |x 电路
- 701 _0 |a 赵正平 |A Zhao Zhengping |4 著
- 801 _0 |a CN |b DUTL |c 20181120
- 905 __ |a XATU |d TN385/5