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• 010 __ |a 978-7-111-60578-2 |d CNY79.00

• 021 __ |a CN |b 01-2015-0863

• 099 __ |a CAL 012018175798

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• 101 1_ |a chi |c eng

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化镓功率晶体管 |A dan hua jia gong lv jing ti guan |e 器件、电路与应用 |d = GaN transistors for efficient power conversion |f (美) 亚历克斯·利多(Alex Lidow) ... [等] 著 |g 段宝兴, 杨银堂译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2018

• 215 __ |a xii, 222页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 电子科学与工程系列图书 |A dian zi ke xue yu gong cheng xi lie tu shu

• 304 __ |a 题名页题其余责任者: (美) 约翰·斯其顿 (Johan Strydom), (美) 迈克尔·德·罗伊 (Michael De Rooij), (美) 戴维·罗伊施 (David Reusch)

• 305 __ |a 据原文第2版译出

• 306 __ |a 由Wiley授权出版

• 312 __ |a 原文题名取自版权页

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书共包括11章：第1章概述了氮化镓(GaN)技术；第2章介绍了GaN晶体管的器件物理；第3章介绍了GaN晶体管的驱动；第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计；第5章讨论了GaN晶体管的建模和测量；第6章详细介绍了硬开关技术；第7章详细介绍了软开关技术和变换器；第8章介绍了GaN晶体管射频特性；第9章讨论了GaN晶体管的空间应用；第10章列举了GaN晶体管的应用实例；第11章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。

• 333 __ |a 微电子科学与工程专业和电力电子技术专业高年级本科生和研究生、从事氮化镓功率半导体技术研究的科研工作者、工程师

• 410 _0 |1 2001 |a 电子科学与工程系列图书

• 510 1_ |a GaN transistors for efficient power conversion |z eng

• 517 1_ |a 器件、电路与应用 |A qi jian 、 dian lu yu ying yong

• 606 0_ |a 氮化镓 |A dan hua jia |x 功率晶体管 |x 研究

• 690 __ |a TN323 |v 5

• 701 _1 |c (美) |a 利多 |A li duo |c (Lidow, Alex) |4 著

• 701 _1 |c (美) |a 斯其顿 |A si qi dun |c (Strydom, Johan) |4 著

• 701 _1 |c (美) |a 罗伊 |A luo yi |c (Rooij, Michael de) |4 著

• 702 _0 |a 段宝兴 |A duan bao xing |4 译

• 702 _0 |a 杨银堂 |A yang yin tang |4 译

• 801 _0 |a CN |b WHUTL |c 20181114

• 801 _2 |a CN |b PUL |c 20190102

• 905 __ |a XATU |d TN323/3

• 920 __ |a 261060 |z 1

• 998 __ |a WHUT