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• 200 1_ |a 硅快速深刻蚀技术的研究 |9 guikuaisushenkeshijishudeyanjiu |f 马睿著 |g 蔡长龙指导

• 210 __ |a 西安 |c 西安工业大学 |d 2009

• 215 __ |a 67页 |d 28cm

• 328 __ |a 硕士论文——西安工业大学光电学院，2009

• 610 0_ |a ICP刻蚀 掩蔽层 图形化 刻蚀速率 选择比 交替复合深刻蚀 |A ICPkeshi yanbiceng tuxinghua keshisulv xuanzhaibi jiaotifuheshenkeshi

• 690 __ |a TN305.2 |v 4

• 701 _0 |a 马睿 |4 著 |9 marui

• 702 _0 |a 蔡长龙 |4 指导 |9 caichanglong

• 801 _0 |a CN |b 261060 |c 20091120

• 905 __ |a XATU |d TN305.2/2

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