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- 200 1_ |a III-V族化合物半导体 |P IIIVZHGWBDT |f C.海尔孙, A.C.罗斯-英纳斯著 |g 许振嘉等译
- 210 __ |a 上海 |c 上海科学技术出版社 |d 1963
- 215 __ |a 283页 |c 图 |d 18cm
- 701 _1 |a A.C.罗斯-英纳斯 |4 著
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