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• 100 __ |a 20110831d2011 em y0chiy0110 ea

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a MOS器件电离损伤的蒙特卡罗模拟研究 |A MOS qi jian dian li sun shang de meng te ka luo mo ni yan jiu |f 答元著 |g 陈世彬指导

• 210 __ |a 西安 |c 西安工业大学 |d 2011

• 215 __ |a 45页 |d 28cm

• 328 __ |a 硕士论文--西安工业大学光电学院,2011

• 610 0_ |a 高能光子 MOS器件 蒙特卡罗模拟 阈值电压 电离损伤 |A gaonengguangzi MOSqijian mengtekaluomoni yuzhidianya dianlisunshang

• 690 __ |a O572.31 |v 5

• 701 _0 |a 答元 |A da yuan |4 著

• 702 _0 |a 陈世彬 |A chen shi bin |4 指导

• 801 _0 |a CN |b 261060 |c 20110831

• 905 __ |a XATU |d O572.31/2

• 920 __ |a 261060 |z 1