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• 010 __ |a 978-7-5517-2121-9 |d CNY36.00

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• 101 0_ |a eng

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• 200 1_ |a Cu2ZnSnS4基异质结界面能带带阶的第一性原理研究 |A Cu2znsns4 Ji Yi Zhi Jie Jie Mian Neng Dai Dai Jie De Di Yi Xing Yuan Li Yan Jiu |d = First-Principles Study on Band Offsets at the Cu2ZnSnS4-Based Heterointerfaces |f 包乌吉斯古楞著 |z eng

• 210 __ |a 沈阳 |c 东北大学出版社 |d 2019

• 215 __ |a 89页 |c 图 |d 24cm

• 320 __ |a 有书目 (第89页)

• 330 __ |a 世界能源的日益紧缺和人们环保意识增强的当下, 薄膜太阳能电池应用研究已成为世界各国研究的热点。化合物半导体Cu2ZnSnS4(CZTS)由于持有太阳能电池所要求的最佳禁带宽度和较大的光吸收系数而被广泛研究。本专著内容分为八章, 第一章叙述太阳能电池工作原理、CZTS太阳能电池研究背景以及第一性原理计算方法。第二、三、四章利用第一性原理计算方法分别计算了CdS/CZTS和ZnO/CZTS异质结界面能带带阶。第五章分析了二次相对CZTS吸收层材料内的影响。第六章调整了Cd1-xZnxS/CZTS异质界面能带结构。第七章以IV 族的Si和Ge代替Sn原子, 计算并比较了ZnS/Cu2ZnIVS4(IV=Si,Ge,Sn)界面能带带阶。第八章本专著总结。

• 333 __ |a 薄膜太阳能电池研究者

• 510 1_ |a First-Principles Study on Band Offsets at the Cu2ZnSnS4-Based Heterointerfaces |z eng

• 606 0_ |a 薄膜太阳能电池 |A bo mo tai yang neng dian chi |x 研究 |x 英文

• 690 __ |a TM914.4 |v 5

• 701 _0 |a 包乌吉斯古楞 |A bao wu ji si gu leng |4 著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20190809

• 905 __ |a XATU |d TM914.4/48

• 920 __ |a 261060 |z 1