机读格式显示(MARC)

• 000 01614nam0 2200349 450

• 001 0000407516

• 005 20230105173200.0

• 010 __ |a 978-7-111-69481-6 |d CNY119.00

• 021 __ |a CN |b 01-2020-5229

• 035 __ |a (A100000NLC)011786954

• 049 __ |a A100000NLC |b UCS01011341481 |c 011786954 |d NLC01

• 100 __ |a 20220609d2022 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 纳米集成电路FinFET器件物理与模型 |A na mi ji cheng dian lu finfet qi jian wu li yu mo xing |f (美) 萨马·K. 萨哈(Samar K. Saha)著 |g 丁扣宝译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2022

• 215 __ |a 13,238页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路科学与工程丛书 |A ji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu

• 305 __ |a Taylor & Francis出版集团旗下，CRC出版公司授权出版

• 312 __ |a 版权页英文题名：FinFET devices for VLSI circuits and systems

• 330 __ |a 本书主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型。

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路科学与工程丛书

• 510 1_ |a FinFET devices for VLSI circuits and systems |z eng

• 606 0_ |a 纳米材料 |A na mi cai liao |x 集成电路工艺 |x 系统建模

• 690 __ |a TN405 |v 5

• 701 _1 |c (美) |a 萨哈 |A sa ha |g (Saha, Samar K.) |4 著

• 702 _0 |a 丁扣宝 |A ding kou bao |f (1965-) |4 译

• 801 _2 |a CN |b OLCC |c 20220726

• 905 __ |a XATU |d TN405/24

• 920 __ |a 261060 |z 1