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• 200 1_ |a 碲镉汞材料物理与技术 |A di ge gong cai liao wu li yu ji shu |d = Physics and technology of HgCdTe materials |f 杨建荣著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2012

• 215 __ |a 460页 |c 图 |d 27cm

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• 510 1_ |a Physics and technology of HgCdTe materials |z eng

• 606 0_ |a 碲化镉 |A di hua ge |x Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 |x 半导体物理

• 606 0_ |a 碲化镉 |A di hua ge |x Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 |x 半导体技术

• 690 __ |a TN304.2 |v 5

• 701 _0 |a 杨建荣 |A yang jian rong |4 著

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