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• 000 01791nam0 2200373 450

• 001 0000412841

• 005 20230405142300.0

• 010 __ |a 978-7-03-072489-2 |d CNY88.00

• 021 __ |a CN |b 01-2021-2580

• 049 __ |a O360102HST |b UCS01011381668 |c 011381668

• 100 __ |a 20220711d2022 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 高温SiC MEMS传感器的热电特性 |A Gao Wen Sic Mems Chuan Gan Qi De Re Dian Te Xing |d Thermoelectrical effect in SIC for high-temperature MEMS sensors |f (澳)丁东安(Toan Dinh)，(澳)阮南中(Nam-Trung Nguyen)，(澳)陶宗越(Dzung Viet Dao)著 |g 王兴华[等]译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2022

• 215 __ |a 10,133页 |c 图 |d 24cm

• 304 __ |a 译者还有：刘文宝、刘红卫、李兴冀

• 330 __ |a 本书主要介绍了碳化硅(SiC)传感器在高温下热电特性的研究进展。本书可分为三部分，共七章。第一部分从单层SiC和多层SiC的热阻效应、热电效应、热电子效应和热电容效应等物理效应方面来介绍SiC的热电特性；第二部分介绍了SiC的诸多重要特征以及SiC MEMS的制造流程，总结了SiC传感器、热流传感器和对流惯性传感器的最新进展；第三部分论述了SiC热电传感器的应用前景。

• 510 1_ |a Thermoelectrical effect in SIC for high-temperature MEMS sensors |z eng

• 606 0_ |a 碳化硅热敏电阻器 |A Tan Hua Gui Re Min Dian Zu Qi |x 研究

• 606 0_ |a 微机电系统 |A Wei Ji Dian Xi Tong |x 传感器 |x 热电效应 |x 研究

• 690 __ |a TM54 |v 5

• 690 __ |a TH-39 |v 5

• 701 _0 |c (澳) |a 丁东安 |A Ding Dong An |c (Dinh, Toan) |4 著

• 701 _0 |c (澳) |a 阮南中 |A Ruan Nan Zhong |c (Nguyen, Nam-Trung) |4 著

• 701 _0 |c (澳) |a 陶宗越 |A Tao Zong Yue |c (Dao, Dzung Viet) |4 著

• 702 _0 |a 王兴华 |A Wang Xing Hua |4 译

• 801 _2 |a CN |b OLCC |c 20220908

• 801 _2 |a CN |b O360102HST |c 20220713

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20220711

• 905 __ |a XATU |d TM54/9

• 920 __ |a 261060 |z 1