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- 010 __ |a 978-7-308-15746-9 |d CNY29.00
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- 100 __ |a 20161107d2016 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 宽禁带化合物半导体材料与器件 |A kuan jin dai hua he wu ban dao ti cai liao yu qi jian |d = Wide band gap compound semiconductor materials and devices |f 朱丽萍, 何海平编著 |z eng
- 210 __ |a 杭州 |c 浙江大学出版社 |d 2016
- 215 __ |a 185页 |c 图 |d 26cm
- 225 2_ |a 高等院校材料专业系列规划教材 |A gao deng yuan xiao cai liao zhuan ye xi lie gui hua jiao cai |i 材料科学与工程
- 330 __ |a 本书共9章,主要内容为:绪论;化合物半导体材料基础;化合物半导体中的缺陷;宽带隙半导体发光;化合物半导体器件基本原理,包括pn结、超晶格与量子阱;宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用,主要介绍SiC、ZnO和GaN的研究现状。
- 333 __ |a 本书适用于高校半导体材料、微电子与固体电子学及相关专业学生
- 410 _0 |1 2001 |a 高等院校材料专业系列规划教材 |i 材料科学与工程
- 510 1_ |a Wide band gap compound semiconductor materials and devices |z eng
- 606 0_ |a 禁带 |A jin dai |x 化合物半导体 |x 半导体材料 |x 高等学校 |j 教材
- 606 0_ |a 禁带 |A jin dai |x 化合物半导体 |x 半导体器件 |x 高等学校 |j 教材
- 701 _0 |a 朱丽萍 |A zhu li ping |4 编著
- 701 _0 |a 何海平 |A he hai ping |4 编著
- 801 _0 |a CN |b WHUTL |c 20161107
- 905 __ |a XATU |d TN304.2/7