机读格式显示(MARC)

• 000 01387nam0 2200361 450

• 001 0000381122

• 005 20200918165100.0

• 010 __ |a 978-7-302-53134-0 |d CNY118.00

• 021 __ |a CN |b 01-2017-0249

• 035 __ |a (A100000NLC)010695077

• 049 __ |a A100000NLC |b UCS01010093199 |c 010695077 |d NLC01

• 100 __ |a 20200530d2020 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 三维存储芯片技术 |A San Wei Cun Chu Xin Pian Ji Shu |b 专著 |d 3D flash memories |f (圣马)里诺·米歇洛尼(Rino Micheloni)著 |g 吴华强，高滨，钱鹤译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2020

• 215 __ |a 15,277页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 新视野电子电气科技丛书 |A Xin Shi Ye Dian Zi Dian Qi Ke Ji Cong Shu

• 305 __ |a 由德国施普林格公司授权出版

• 330 __ |a 本书着眼于3D NAND闪存技术发展的未来，结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势，介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等，同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容。

• 410 _0 |1 2001 |a 新视野电子电气科技丛书

• 510 1_ |a 3D flash memories |z eng

• 606 0_ |a 集成芯片 |A Ji Cheng Xin Pian |x 研究

• 690 __ |a TN43 |v 5

• 701 _0 |c (圣马) |a 米歇洛尼 |A Mi Xie Luo Ni |c (Micheloni, Rino) |4 著

• 702 _0 |a 吴华强 |A Wu Hua Qiang |4 译

• 702 _0 |a 高滨 |A Gao Bin |4 译

• 702 _0 |a 钱鹤 |A Qian He |4 译

• 801 _2 |a CN |b OLCC |c 20200916

• 905 __ |a XATU |d TN43/19

• 920 __ |a 261060 |z 1