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- 010 __ |a 978-7-111-41727-9 |d CNY98.00
- 021 __ |a CN |b 01-2011-5307
- 099 __ |a CAL 012013077163
- 100 __ |a 20130620d2013 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 功率半导体器件 |A Gong Lu^ Ban Dao Ti Qi Jian |e 原理、特性和可靠性 |f (德) Josef Lutz ... [等] 著 |g 卞抗, 杨莺, 刘静译
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2013
- 215 __ |a XI, 435页 |c 图 |d 24cm
- 225 2_ |a 国际电气工程先进技术译丛 |A Guo Ji Dian Qi Gong Cheng Xian Jin Ji Shu Yi Cong
- 314 __ |a 责任者Lutz规范汉译姓: 卢茨
- 330 __ |a 本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、1GBT和功率集成器件等。
- 410 _0 |1 2001 |a 国际电气工程先进技术译丛
- 500 10 |a Semiconductor power devices : physics, characteristics, reliability |A Semiconductor Power Devices : Physics, Characteristics, Reliability |m Chinese
- 606 0_ |a 功率半导体器件 |A Gong Lu^ Ban Dao Ti Qi Jian
- 701 _1 |a 卢茨 |A Lu Ci |g (Lutz, Josef) |4 著
- 702 _0 |a 卞抗 |A Bian Kang |4 译
- 702 _0 |a 杨莺 |A Yang Ying |4 译
- 702 _0 |a 刘静 |A Liu Jing |4 译
- 801 _0 |a CN |b NMU |c 20130620
- 801 _2 |a CN |b PUL |c 20130816
- 905 __ |a XATU |d TN303/45