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• 010 __ |a 978-7-5770-1257-5 |d CNY60.00

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• 200 1_ |a 二维半导体的滑移铁电物理及器件特性研究 |A er wei ban dao ti de hua yi tie dian wu li ji qi jian te xing yan jiu |d = Sliding ferroelectric physics and device characteristic of two-dimensional semiconductors |f 卞仁吉, 刘富才著 |z eng

• 210 __ |a 成都 |c 电子科技大学出版社 |d 2025

• 215 __ |a 141页 |c 图 |d 24cm

• 300 __ |a 博士论丛

• 314 __ |a 卞仁吉(1993-), 电子科技大学光学工程专业博士, 现为杭州积海半导体有限公司资深工程师; 主要研究方向为新型二维铁电材料及高密度存储器件。

• 314 __ |a 刘富才(1986-), 南开大学物理学专业博士, 现为电子科技大学光电科学与工程学院教授, 国家级青年人才、四川省学术与技术带头人; 主要研究方向为新型低维材料与类脑智能器件研究。

• 320 __ |a 有书目 (第121-141页)

• 330 __ |a 本书共六章。第一章为绪论, 介绍铁电理论和临界尺寸效应, 以及二维层状铁电体; 第二章为实验方法; 第三章为二维半导体的滑移铁电物性, 介绍了如何通过电学输运特性表征滑移铁电体的铁电性及铁电的居里相变温度研究; 第四章为层间滑移诱导的多极化态及抗疲劳特性, 详述了滑移铁电体的层数依赖的极化态及天然的抗疲劳特性; 第五章为高性能滑移铁电半导体晶体管, 通过合理的器件结构设计实现了高性能的滑移铁电半导体晶体管的制备; 第六章为总结。

• 510 1_ |a Sliding ferroelectric physics and device characteristic of two-dimensional semiconductors |z eng

• 606 0_ |a 压电器件 |A ya dian qi jian |x 研究

• 690 __ |a TN384 |v 5

• 701 _0 |a 卞仁吉, |A bian ren ji |f 1993- |4 著

• 701 _0 |a 刘富才, |A liu fu cai |f 1986- |4 著

• 801 _0 |a CN |b 百万庄 |c 20250310

• 905 __ |a XATU |d TN384/7

• 920 __ |a 261060 |z 1

• 998 __ |a PUL