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• 010 __ |a 7-118-02767-7 |b 精装 |d 19.00元

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• 200 10 |a 电可改写非挥发存储器 |A Dian Ke Gai Xie Fei Hui Fa Cun Chu Qi |f 于宗光, 郝跃著

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2002

• 215 __ |a 227页 |c 图 |d 20cm

• 314 __ |a 于宗光，山东人，西安电子科技大学和东南大学硕士，博士。教授级高工，从事集成电路设计及可靠性研究，出版专著2部，论文100多篇。

• 314 __ |a 郝跃，工学硕士，理学博士，西安电子科技大学副教授，副校长，出版专著4部，发表论文120多篇。

• 330 __ |a 全书共分12章。第一章介绍电可改写集成电路的基本概念与工作原理，第二章介绍EEPROM单元结构，第三章介绍EEPROM单元的设计技术，第四章介绍EEPROM电路的设计技术，第五、六、七、八章介绍可靠性，第九章介绍失效机理与考核，第十章介绍误差矫正，第十一、十二章介绍新器件。

• 333 __ |a 读者对象：高校电子技术专业师生，集成电路设计和应用科技人员

• 510 1_ |a Electrically Re-Programmable Nonvolatile Memory |z eng |A Electrically Re-Programmable Nonvolatile Memory

• 606 0_ |a 电子计算机-存储器 |x 基本知识

• 690 __ |a TP333 |v 四版

• 701 _0 |a 于宗光 |4 著 |A Yu Zong Guang

• 701 _0 |a 郝跃 |4 著 |A Hao Yue

• 801 _3 |a CN |b CDSY |c 20020612

• 905 __ |a XATU |d TP333/7

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