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• 200 1_ |a 碳化硅功率器件 |A Tan Hua Gui Gong Lv Qi Jian |b 专著 |e 特性、测试和应用技术 |f 高远，陈桥梁编著

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2021

• 215 __ |a 14,311页 |c 图 |d 24cm

• 300 __ |a 电力电子新技术系列图书

• 312 __ |a 封面英文题名：Silicon Carbide power semiconductor devices: characteristics, testing and applications

• 330 __ |a 本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术，概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节，分别为功率半导体器件的基础，SiC MOSFET参数解读、测试及应用，双脉冲测试，SiC与Si器件特性对比，高di/dt影响与应对——关断电压尖峰，高dv/dt影响与应对——crosstalk，共模电流的影响与应对，共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。

• 510 1_ |a Characteristics, testing and applications |e characteristics, testing and applications |z eng

• 606 0_ |a 功率半导体器件 |A Gong Lv Ban Dao Ti Qi Jian

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 高远 |A Gao Yuan |4 编著

• 701 _0 |a 陈桥梁 |A Chen Qiao Liang |4 编著

• 801 _0 |a CN |b ahlib |c 20211118

• 905 __ |a XATU |d TN303/61

• 920 __ |a 261060 |z 1