机读格式显示(MARC)

• 000 01936cam0 2200589 450

• 001 0000182502

• 005 20130605101900.0

• 010 __ |a 978-7-03-034128-0 |b 精装 |d CNY128.00

• 099 __ |a CAL 012012228742

• 100 __ |a 20120806d2012 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 碳化硅晶体生长与缺陷 |A tan hua gui jing ti sheng zhang yu que xian |d = The growth and defects of silicon carbide crystal |f 施尔畏编著 |g 中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目部 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2012

• 215 __ |a xiv, 360页 |c 图 (部分彩图) |d 25cm

• 330 __ |a 本书系统地介绍了物理气相输运 (PVT) 法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作, 由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分SimCn和碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。

• 510 1_ |a Growth and defects of silicon carbide crystal |z eng

• 606 0_ |a 硅酸盐矿物 |A gui suan yan kuang wu |x 晶体生长

• 690 __ |a P578.94 |v 5

• 701 _0 |a 施尔畏 |A shi er wei |4 编著

• 712 02 |a 中国科学院 |A zhong guo ke xue yuan |b 上海硅酸盐研究所 |B shang hai gui suan yan yan jiu suo |b 碳化硅晶体项目部 |B tan hua gui jing ti xiang mu bu |4 编

• 801 _0 |a CN |b RENTIAN |c 20120806

• 801 _2 |a CN |b PUL |c 20120915

• 905 __ |a XATU |d P578.94/2

• 920 __ |a 211010 |z 2

• 920 __ |a 100165 |z 1

• 920 __ |a 242250 |z 1

• 920 __ |a 215010 |z 1

• 920 __ |a 211030 |z 1

• 920 __ |a 221020 |z 1

• 920 __ |a 261020 |z 1

• 920 __ |a 261030 |z 1

• 920 __ |a 231020 |z 1

• 920 __ |a 214010 |z 1

• 920 __ |a 232010 |z 1

• 920 __ |a 212020 |z 1

• 920 __ |a 231010 |z 1

• 920 __ |a 232020 |z 1

• 920 __ |a 237020 |z 1

• 920 __ |a 212010 |z 1

• 920 __ |a 245010 |z 1

• 920 __ |a 211260 |z 1

• 920 __ |a 262010 |z 1

• 920 __ |a 223020 |z 1

• 920 __ |a 251010 |z 1

• 920 __ |a 222010 |z 1

• 920 __ |a 244050 |z 1

• 920 __ |a 244010 |z 1

• 920 __ |a 231220 |z 2

• 998 __ |a RTBOOK