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• 200 1_ |a 纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化 |A na mi shu zi ji cheng dian lu de pian cha xiao ying fen xi yu you hua |e 从电路级到系统级 |d = Analysis and optimization on large-scale COMS integrated circuits in the presence of parameter variability |e form circuit-level to system level |f 靳松, 韩银和著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2019

• 215 __ |a 181页 |c 图 |d 24cm

• 320 __ |a 有书目 (第169-181页)

• 330 __ |a 本文的主要内容涉及了在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应-负偏置温度不稳定性（Negative bias temperature instability – NBTI）和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响，并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。

• 510 1_ |a Analysis and optimization on large-scale COMS integrated circuits in the presence of parameter variability |e form circuit-level to system level |z eng

• 517 1_ |a 从电路级到系统级 |A cong dian lu ji dao xi tong ji

• 606 0_ |a 纳米材料 |A na mi cai liao |x 数字集成电路 |x 研究

• 690 __ |a TN431.2 |v 5

• 701 _0 |a 靳松 |A jin song |4 著

• 701 _0 |a 韩银和 |A han yin he |4 著

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20190701

• 905 __ |a XATU |d TN431.2/81

• 920 __ |a 215010 |z 1

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