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• 000 02108nam 2200709 450

• 001 0000249005

• 005 20161130142700.0

• 010 __ |a 978-7-121-25060-6 |d CNY79.00

• 021 __ |a CN |b 01-2014-5138

• 100 __ |a 20150630d2015 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体器件导论 |A Ban Dao Ti Qi Jian Dao Lun |d = An introduction to semiconductor devices |f (美) Donald A. Neamen著 |g 谢生译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2015

• 215 __ |a 17, 486页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 国外电子与通信教材系列 |A Guo Wai Dian Zi Yu Tong Xin Jiao Cai Xi Lie

• 306 __ |a 由麦格劳-希尔(亚洲)教育出版公司授权合作出版

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书在介绍学习器件物理所必需的基础理论之后，重点讨论了pn结、金属-半导体接触、MOS场效应晶体管和双极型晶体管的工作原理和基本特性。最后论述了结型场效应晶体管、晶闸管、MEMS和半导体光电器件的相关内容。

• 410 _0 |1 2001 |a 国外电子与通信教材系列

• 510 1_ |a Introduction to semiconductor devices |z eng

• 606 0_ |a 半导体器件 |A Ban Dao Ti Qi Jian |x 高等学校 |j 教材

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 尼曼 |A Ni Man |g (Neamen, Donald A.) |4 著

• 702 _0 |a 谢生 |A Xie Sheng |4 译

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20150630

• 905 __ |a XATU |d TN303/48

• 920 __ |a 211010 |z 1

• 920 __ |a 215010 |z 1

• 920 __ |a 231030 |z 1

• 920 __ |a 244020 |z 1

• 920 __ |a 232020 |z 1

• 920 __ |a 211260 |z 1

• 920 __ |a 235010 |z 1

• 920 __ |a 211030 |z 1

• 920 __ |a 211130 |z 1

• 920 __ |a 222107 |z 1

• 920 __ |a 211060 |z 1

• 920 __ |a 261030 |z 1

• 920 __ |a 231020 |z 1

• 920 __ |a 231010 |z 1

• 920 __ |a 237010 |z 1

• 920 __ |a 244010 |z 1

• 920 __ |a 244180 |z 1

• 920 __ |a 211050 |z 1

• 920 __ |a 245010 |z 1

• 920 __ |a 221020 |z 1

• 920 __ |a 212020 |z 1

• 920 __ |a 237020 |z 1

• 920 __ |a 242020 |z 1

• 920 __ |a 212010 |z 1

• 920 __ |a 242010 |z 1

• 920 __ |a 221130 |z 1

• 920 __ |a 251010 |z 1

• 920 __ |a 236010 |z 1

• 920 __ |a 222010 |z 1

• 920 __ |a 244050 |z 1

• 920 __ |a 222040 |z 1

• 920 __ |a 430102 |z 1

• 998 __ |a NMU