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• 200 1_ |a 微电子器件 |A wei dian zi qi jian |f 陈星弼 ... [等] 编著

• 205 __ |a 第4版

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2018

• 215 __ |a xiv, 333页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a “十二五”普通高等教育本科国家级规划教材 普通高等教育“十一五”国家级规划教材

• 304 __ |a 题名页题: 陈星弼, 陈勇, 刘继芝, 任敏编著

• 330 __ |a 本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上, 全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管 (BJT) 和绝缘栅场效应晶体管 (MOSFET) 的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。书中提供大量习题, 便于读者巩固及加深对所学知识的理解。

• 606 0_ |a 微电子技术 |A wei dian zi ji shu |x 电子器件 |x 高等学校 |j 教材

• 690 __ |a TN4 |v 5

• 701 _0 |a 陈星弼 |A chen xing bi |4 编著

• 701 _0 |a 陈勇 |A chen yong |4 编著

• 701 _0 |a 刘继芝 |A liu ji zhi |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20180807

• 905 __ |a XATU |d TN4/70=4

• 920 __ |a 211010 |z 1

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