机读格式显示(MARC)

• 000 01339nam 2200313 450

• 001 0000390514

• 005 20210520114400.0

• 010 __ |a 978-7-302-55747-0 |b 精装 |d CNY69.00

• 099 __ |a CAL 012020402599

• 100 __ |a 20201221d2020 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a afk a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究 |A na mi ti gui CMOS gong yi luo ji dian lu dan li zi xiao ying yan jiu |d = Study of single-event effects of logic circuits in nanometer bulk CMOS process |f 陈荣梅著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2020

• 215 __ |a 23, 124页, [13] 页图版 |c 图 (部分彩图) |d 25cm

• 225 2_ |a 清华大学优秀博士学位论文丛书 |A qing hua da xue you xiu bo shi xue wei lun wen cong shu

• 320 __ |a 有书目 (第112-124页)

• 330 __ |a 本书深入研究纳米体硅CMOS工艺逻辑电路中单粒子效应的产生与传播受电路工作电压、频率和版图结构这些电路内在因素以及温度和总剂量两种空间环境变量的影响规律及其机理。

• 410 _0 |1 2001 |a 清华大学优秀博士学位论文丛书

• 510 1_ |a Study of single-event effects of logic circuits in nanometer bulk CMOS process |z eng

• 606 0_ |a CMOS电路 |A CMOS dian lu |x 单粒子态 |x 效应 |x 研究

• 690 __ |a TN432 |v 5

• 701 _0 |a 陈荣梅 |A chen rong mei |4 著

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20201221

• 905 __ |a XATU |d TN432/25

• 920 __ |a 261060 |z 1

• 998 __ |a NMU