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• 101 1_ |a chi |c eng

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 功率半导体器件 |9 gong lv ban dao ti qi jian |e 理论及应用 |f (捷克)维捷斯拉夫·本达(Vitezslav Benda)，(英)约翰·戈沃(John Gowar)，(英)邓肯 A.格兰特(Duncan A.Grant)著 |g 吴郁，张万荣，刘兴明译

• 210 __ |a 北京 |c 化学工业出版社 |d 2005

• 215 __ |a 357页 |c 图表 |d 24cm

• 305 __ |a 中文简体字版由John Wiley & Sons Ld.授权出版

• 330 __ |a 较全面地讲述了现有种类重要功率半导体器件的基本原理、设计原则、工艺实现和应用特性，为各类器件建立起清晰的物理图像。

• 510 1_ |a Power semiconductor devices |e Theory and applications |z eng

• 606 0_ |a 半导体器件 |A bandaotiqijian

• 690 __ |a TN303 |v 4

• 701 _0 |c (捷克) |a 本达 |9 ben da |c (Benda, Vitezslav) |4 著

• 701 _0 |c (英) |a 戈沃 |9 ge wo |c (Gowar, John) |4 著

• 701 _0 |c (英) |a 格兰特 |9 ge lan te |c (Grant, Duncan A.) |4 著

• 702 _0 |a 吴郁 |9 wu yu |4 译

• 702 _0 |a 张万荣 |9 zhang wan rong |4 译

• 702 _0 |a 刘兴明 |9 liu xing ming |4 译

• 801 _0 |a CN |b SG11 |c 20050707

• 801 _2 |a CN |b 261060 |c 20051212

• 905 __ |a XATU |d TN303/30

• 991 __012005011503

• 995 __ |a 261060 |f TN303/30

• 999 __ |t C |A cuixiaojing |a 20051206 15:30:53 |I zw |i 20051212 10:43:5