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• 010 __ |a 978-7-111-58680-7 |d CNY150.00

• 021 __ |a CN |b 01-2015-0862

• 099 __ |a CAL 012018068559

• 100 __ |a 20180605d2018 ekmy0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 碳化硅技术基本原理 |A tan hua gui ji shu ji ben yuan li |e 生长、表征、器件和应用 |d = Fundamentals of silicon carbide technology |e growth, characterization, devices, and applications |f (日)木本恒暢，(美)詹姆士A. 库珀(James A. Cooper)著 |g 夏经华 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2018

• 215 __ |a XIII, 500页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 新型电力电子器件丛书 |A xin xing dian li dian zi qi jian cong shu

• 305 __ |a 据2014年英文版译出

• 306 __ |a 中文简体字版由机械工业出版社出版

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了基本概念和新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。

• 333 __ |a 从事碳化硅电力电子材料、功率器件及其应用方面专业技术人员

• 410 _0 |1 2001 |a 新型电力电子器件丛书

• 510 1_ |a Fundamentals of silicon carbide technology |e growth, characterization, devices, and applications |z eng

• 517 1_ |a 生长、表征、器件和应用 |A sheng zhang 、 biao zheng 、 qi jian he ying yong

• 606 0_ |a 碳化硅陶瓷 |A tan hua gui tao ci |x 研究

• 690 __ |a TQ174.75 |v 5

• 701 _0 |a 木本恒畅, |A mu ben heng chang |f 1963- |4 著

• 701 _1 |a 库珀 |A ku po |g (Cooper, James A.), |f 1946- |4 著

• 702 _0 |a 夏经华 |A xia jing hua |4 译

• 730 1_ |a 木本恒暢 |A mu ben heng chang |4 著

• 801 _0 |a CN |b NJU |c 20180605

• 801 _2 |a CN |b PUL |c 20180705

• 905 __ |a XATU |d TQ174.75/40

• 920 __ |a 261060 |z 1

• 998 __ |a NJU