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• 010 __ |a 978-7-111-65981-5 |d CNY99.00

• 099 __ |a CAL 012020381187

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• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模 |A yong yu ji cheng dian lu fang zhen he she ji de FinFETjian mo |e 基于BSIM-CMG标准 |f (印) 尤盖希·辛格·楚罕(Yogesh Singh Chauhan) ... [等] 著 |g 陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2020

• 215 __ |a 239页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 微电子与集成电路先进技术丛书 |A wei dian zi yu ji cheng dian lu xian jin ji shu cong shu

• 304 __ |a 题名页题其余责任者：(印) 尤盖希·辛格·楚罕, (美) 达森·杜安·卢, (印) 史利南库马尔·维努戈帕兰, 苏拉布·坎德瓦尔, (美) 胡安·帕布鲁·杜阿尔特德等著

• 306 __ |a 本版由Elsevier Inc.授权机械工业出版社在中国大陆地区 (不包括香港、澳门以及台湾地区) 出版发行

• 312 __ |a 原文题名取自版权页

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。

• 333 __ |a 微电子学与固体电子学、电子信息工程等专业学生

• 410 _0 |1 2001 |a 微电子与集成电路先进技术丛书

• 510 1_ |a FinFET modeling for IC simulation and design : using the BSIM-CMG standard |z eng

• 517 1_ |a 基于BSIM-CMG标准 |A ji yu BSIM-CMGbiao zhun

• 606 0_ |a 集成电路 |A ji cheng dian lu |x 电路设计 |x 系统建模

• 690 __ |a TN402 |v 5

• 701 _1 |c (印) |a 楚罕 |A chu han |c (Chauhan, Yogesh Singh) |4 著

• 701 _1 |c (印) |a 卢 |A lu |c (Lu, Darsen Duane) |4 著

• 701 _1 |c (印) |a 史利南库马尔 |A shi li nan ku ma er |c (Sriramkumar, Vanugopalan) |4 著

• 702 _0 |a 陈铖颍 |A chen cheng ying |4 译

• 702 _0 |a 张宏怡 |A zhang hong yi |4 译

• 702 _0 |a 荆有波 |A jing you bo |4 译

• 801 _0 |a CN |b SEU |c 20201113

• 801 _2 |a CN |b PUL |c 20210114

• 905 __ |a XATU |d TN402/62

• 920 __ |a 261060 |z 1

• 998 __ |a SEU