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- 题名/责任者:
- 电子器件的电离辐射效应:从存储器到图像传感器/(意)Marta Bagatin,(意)Simone Gerardin主编 毕津顺[等]译
- 出版发行项:
- 北京:电子工业出版社,2022
- ISBN及定价:
- 978-7-121-44206-3/CNY119.00
- 载体形态项:
- 20,299页:照片,图;26cm
- 并列正题名:
- Ionizing radiation effects in electronics:from memories to imagers
- 丛编项:
- 国防电子信息技术丛书.集成电路辐射效应与加固技术系列
- 个人责任者:
- (意) 巴吉安 (Bagatin, Marta) 主编
- 个人责任者:
- (意) 杰拉尔丁 (Gerardin, Simone) 主编
- 个人次要责任者:
- 毕津顺 译
- 学科主题:
- 电子器件-电离辐射-研究
- 中图法分类号:
- TN6
- 中图法分类号:
- O644.2
- 版本附注:
- Taylor & Francis出版集团下CRC出版公司授权出版
- 提要文摘附注:
- 本书涵盖了现代半导体的电离辐射效应,探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容:商用数字集成电路的辐射效应,包括微处理器、易失性存储器(SRAM和DRAMD)和闪存;数字电路、现场可编程门阵列(FPGA)和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案;纤维光学和成像器件(包括CMOS图像传感器和电荷耦合器件CCD)的辐射效应。
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索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
TN6/83 | CN1903811 | ![]() |
阅览 | 内阅图书 | |
TN6/83 | CN1903812 | ![]() |
可借 | 未央馆 |
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