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题名/责任者:

IGBT理论与设计/(印) 维诺德·库马尔·卡纳著 杨兵, 康玄武, 王杨译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-111-66352-2 精装/CNY159.00

载体形态项:

XVI, 413页:图;27cm

并列正题名:

Insulated gate bipolar transistor IGBT theory and design

个人责任者:

(印) 卡纳 (Khanna, Vinod Kumar), 1952- 著

个人次要责任者:

杨兵 译

个人次要责任者:

康玄武 译

个人次要责任者:

王杨 译

学科主题:

绝缘栅场效应晶体管-研究

中图法分类号:

TN386.2

版本附注:

据2003年英文版译出

出版发行附注:

Wiley授权出版

相关题名附注:

原文题名取自版权页

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书首先对不同类型的IGBT工作原理进行了介绍，然后从IGBT的结构出发，给出了IGBT中MOS结构和双极型结构的工作原理，接下来说明了它们如何影响IGBT的正向传导特性，研究了IGBT模型，包括静态、动态和电热行为，讨论了IGBT中的门锁效应，以及预防门锁的详细处理方法。借助计算机辅助设计工具研究了IGBT单元的设计技术，从结构、掺杂分布、沟道长度、跨导和正向压降、导通和开关损耗、单元布图和间距，以及缓冲层优化，直至场环和场板终端设计等。

使用对象附注:

本书适用于绝缘栅场效应晶体管研究研究人员

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