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题名/责任者:

纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究/陈荣梅著

出版发行项:

北京:清华大学出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-302-55747-0 精装/CNY69.00

载体形态项:

23, 124页, [13] 页图版:图 (部分彩图);25cm

并列正题名:

Study of single-event effects of logic circuits in nanometer bulk CMOS process

丛编项:

清华大学优秀博士学位论文丛书

个人责任者:

陈荣梅 著

学科主题:

CMOS电路-单粒子态-效应-研究

中图法分类号:

TN432

书目附注:

有书目 (第112-124页)

提要文摘附注:

本书深入研究纳米体硅CMOS工艺逻辑电路中单粒子效应的产生与传播受电路工作电压、频率和版图结构这些电路内在因素以及温度和总剂量两种空间环境变量的影响规律及其机理。

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