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题名/责任者:

晶体生长中输运现象及晶体缺陷/方海生, 刘胜著

出版发行项:

北京:科学出版社,2019

ISBN及定价:

978-7-03-061162-8 精装/CNY168.00

载体形态项:

xii, 351页:图;25cm

并列正题名:

Transport phenomena during crystal growth and crystal defects

个人责任者:

方海生 著

个人责任者:

刘胜 著

学科主题:

晶体生长-输运过程

学科主题:

晶体缺陷

中图法分类号:

O78

中图法分类号:

O77

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书是作者在十多年来从事晶体生长和工程热物理交叉领域研究的基础上编写的。本书首先阐述晶体生长的基本原理和输运现象，并介绍计算流体力学方法；其次着重讨论薄膜制备中传热和传质现象，包括薄膜制备系统的复杂化学反应机理，并介绍与传热和传质相关的晶体缺陷；然后，以多晶硅、蓝宝石、氮化镓等应用广泛的晶体为例，详细讨论块状晶体、薄膜晶体制备过程的研究方法和优化策略；最后，本书进一步讨论从分子动力学角度理解开裂、位错等晶体缺陷形成的机理，以及采用第一性原理辅助的分子动力学方法预测热物性参数的理论。

使用对象附注:

人工晶体、材料力学、工程热物理等领域科研人员，晶体生长公司技术人员

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