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题名/责任者:

微电子器件/陈星弼 ... [等] 编著

版本说明:

第4版

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-121-34267-7/CNY59.90

载体形态项:

xiv, 333页:图;26cm

个人责任者:

陈星弼 编著

个人责任者:

陈勇 编著

个人责任者:

刘继芝 编著

学科主题:

微电子技术-电子器件-高等学校-教材

中图法分类号:

TN4

一般附注:

“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材 普通高等教育“十一五”国家级规划教材

题名责任附注:

题名页题: 陈星弼, 陈勇, 刘继芝, 任敏编著

提要文摘附注:

本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上, 全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管 (BJT) 和绝缘栅场效应晶体管 (MOSFET) 的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。书中提供大量习题, 便于读者巩固及加深对所学知识的理解。

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